微電子技術是高新科技的基礎，半導體產業是社會信息化和社會發展的支柱。其中，半導體存儲器是可以讀寫🚊、存儲數字信息的一種非常重要的半導體器件😗，它的性能很大程度上決定著微電子技術的整體水平🐚。根據斷電後信息是否可以保存,半導體存儲器可以分為易失性和非易失性兩大類。近年來,隨著各種電子智能產品的普及推廣和不斷發展,迫切需要研發更高密度、更大容量的新型非易失性存儲器介質材料及器件結構。
阻變存儲器是一種新型非易失性存儲器，它根據不同電壓下的不同電阻值實現對數據的存儲。在外加電壓的激勵下，阻變材料在高阻和低阻兩種狀態之間轉換，這兩種阻態被定義為計算機中的“1”和“0”。
研究表明😪，氧化物電介質材料也可以是阻變材料。它們具有很多優點，如🧕🏿：與CMOS工藝兼容😫，既可以作為MOS結構的柵介質材料，也可以作為阻變存儲器介質材料；與各種半導體襯底如矽、鍺和石英等的優良附著性能；製備容易簡單👷🏿♂️、優良的可重復性🧑🏽🚒、非常好的熱穩定性和化學穩定性等⛽️🧑💼。使它們成為很有吸引力的高k柵介質候選材料🍿，也是很優秀的RRAM阻變存儲器介質材料。
本項目研究稀土氧化物的電學性質，為其在阻變存儲器和高k柵介質上的應用提供理論和實驗數據🚹。
數理學院 朱燕艷